Search academic texts

Information × Registration Number 2124U001014, Article popup.category Бакалаврська робота Title popup.author Абдураїмова Софія Арсеніївна popup.publication 01-01-2024 popup.source_user Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» popup.source https://ela.kpi.ua/handle/123456789/69072 popup.publisher Київ Description Об’єктом розгляду є низькорозмірна транзисторна структура AlGaN/GaN. Предметом роботи є дослідження розподілу температури у низькорозмірних транзисторних структурах шляхом математичного моделювання. Метою дослідження є визначення теплових параметрів низькорозмірних транзисторних структур на основі матеріалів типу A3B5, що дозволяє покращити якість та надійність цих структур на етапі їх розробки, а також зменшити витрати на виробництво та тестування. У першому розділі описуються основні характеристики низькорозмірних транзисторних структур, зокрема наноструктур і гетероструктур, а також їх властивості. Другий розділ присвячений різним методам теплового аналізу транзисторних структур: аналітичним, чисельним, еквівалентним, експериментальним та комбінованим методам. У цьому розділі розглядаються переваги та недоліки кожного методу. У третьому розділі представлена математична модель та алгоритм розрахунку транзисторної структури. Також визначаються граничні умови для структури. Четвертий розділ зосереджений на моделюванні розподілу температури у низькорозмірних транзисторних структурах за різних параметрів, таких як довжина затвору та висота прошарків. Це дослідження спрямоване на вдосконалення розробки та експлуатації транзисторних структур, що використовуються у сучасних технологіях. popup.nrat_date 2025-01-29 Close