Search academic texts

Information × Registration Number 2124U005303, Article popup.category Бакалаврська робота Title popup.author popup.publication 01-01-2024 popup.source_user Сумський державний університет popup.source https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96006 popup.publisher Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету" Description Обгрунтуванням актуальності теми є потенціал польових транзисторів із каналами у вигляді нанодротів карбіду кремнію для наноелектроніки та їх можливості впливати на покращення продуктивності та функціональності електронних пристроїв. Мета роботи полягає у комп'ютерному моделюванні структури та характеристик польових транзисторів із каналом у вигляді нанодротів карбіду кремнію для вивчення їх температурних характеристик та потенціалу для електронних пристроїв. Відповідно до мети, вирішувалися такі задачі: - вивчення комп’ютерних моделей, які враховують особливості транспорту носіїв заряду в польових транзисторах із каналами у вигляді нанодротів карбіду кремнію; - аналіз температурних залежностей робочих характеристик польових транзисторів із каналами у вигляді нанотдротів карбіду кремнію Для досягнення цієї мети були використані методи комп’ютерного моделювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD. У роботі розглядаються технологічні виклики, пов'язані з виробництвом та інтеграцією нанодротів карбіду кремнію в електронні пристрої, а також можливі шляхи подолання цих викликів. Досліджується потенціал нанодротів карбіду кремнію для реалізації низькоенергетичних пристроїв, що можуть забезпечити покращену функціональність та ефективність. popup.nrat_date 2025-05-12 Close