7 documents found
Гайдар Г.П.. Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. On the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
:
published. 2024-09-08;
Видавничий дім "Академперіодика",
2124U012613
Гайдар Г.П.. Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge 〈As〉 under the effect of thermal annealings
:
published. 2024-05-15;
Видавничий дім "Академперіодика",
2124U012452
Article
Стаття
Опубліковано
Гайдар Г.П.. On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
:
published. 2024-04-21;
Видавничий дім "Академперіодика",
2124U012266
Гайдар Г.П.. Peculiarities of changes in the structure and electrophysical characteristics of n-Si under the effect of various thermal treatment regimes
:
published. 2024-03-28;
Видавничий дім "Академперіодика",
2124U012094
Гайдар Г.П.. DEFORMATION EFFECTS IN GERMANIUM CRYSTALS WITH HOLE CONDUCTIVITY
:
published. 2023-07-11;
Видавничий дім "Академперіодика",
2123U012160
Article
Стаття
Опубліковано
Гайдар Г.П.. On the methodology of determining the transverse tensoresistance in multi-valley semiconductors
:
published. 2022-05-10;
Видавничий дім "Академперіодика",
2122U007753
Article
Стаття
Опубліковано
Гайдар Г.П.. The ordering effects of an n-Si defect structure, induced by high fluences of ions with MeV energies
:
published. 2021-04-13;
Видавничий дім "Академперіодика",
2121U009939
7 documents found
Updated: 2026-11-08