2 documents found
Осадчук О. В.. Modeling the impedance of the source-drain section of a dual-gate MOS transistor under temperature : published. 2017-01-30; Вінницький національний технічний університет, 2117U009518
Грипа А. С.. Radiation-stimulated processes in silicon transistor temperature sensors : published. 2017-01-25; Вінницький національний технічний університет, 2117U009500
2 documents found

Updated: 2026-11-12