Дослідження електронних процесів в легованих широкозонних кристалах та твердих розчинах на їхній основі.
Керівник роботи
Гнатенко Юрій Павлович,
Дата реєстрації
14-01-2008
Організація виконавець
Інститут фізики НАН України
Опис
Встановлено природу та енергетичну структуру домішкових центрів та власних дефектів в напівізолюючих кристалах CdTe:V та Cd1-хHgхTe:V. Показано, що електронні процеси в таких кристалах є швидкодіючими та відбуваються в субнаносекундному діапазоні. Встановлена природа пасток для електронів. Вперше проведено дослідження ефекту нестаціонарної фото-електрорушійної сили (голографічного струму) та встановлено мікромеханізм появи голографічного струму в CdTe:V із врахуванням реальної дефектної структури кристалу. Проведені комплексні оптичні та фотоелектричні дослідження кристалів Sn2P2S6 та твердих розчинів Pb1-xCdxI2 . Запропонована схема енергетичних рівнів дефектів і зона-зонних електронних переходів в кристалах Sn2P2S6. Дослідження спектрів ЯКР показали, що в кристалах Pb1-xCdxI2 виникають внутрішарові механічні напруження за рахунок відмінності величин іонних радіусів Pb2+ та Cd2+ та утворюється островкова гетерофазна структура, пов’язана із утворенням PbI2 та CdI2 в межах одного шару.
Керівник: Гнатенко Юрій Павлович. Дослідження електронних процесів в легованих широкозонних кристалах та твердих розчинах на їхній основі..
Інститут фізики НАН України. № 0208U002021
