Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U002021, 0105U000634 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження електронних процесів в легованих широкозонних кристалах та твердих розчинах на їхній основі. Назва етапу роботи Керівник роботи Гнатенко Юрій Павлович, Дата реєстрації 14-01-2008 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Встановлено природу та енергетичну структуру домішкових центрів та власних дефектів в напівізолюючих кристалах CdTe:V та Cd1-хHgхTe:V. Показано, що електронні процеси в таких кристалах є швидкодіючими та відбуваються в субнаносекундному діапазоні. Встановлена природа пасток для електронів. Вперше проведено дослідження ефекту нестаціонарної фото-електрорушійної сили (голографічного струму) та встановлено мікромеханізм появи голографічного струму в CdTe:V із врахуванням реальної дефектної структури кристалу. Проведені комплексні оптичні та фотоелектричні дослідження кристалів Sn2P2S6 та твердих розчинів Pb1-xCdxI2 . Запропонована схема енергетичних рівнів дефектів і зона-зонних електронних переходів в кристалах Sn2P2S6. Дослідження спектрів ЯКР показали, що в кристалах Pb1-xCdxI2 виникають внутрішарові механічні напруження за рахунок відмінності величин іонних радіусів Pb2+ та Cd2+ та утворюється островкова гетерофазна структура, пов’язана із утворенням PbI2 та CdI2 в межах одного шару. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити