Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0211U004837, 0110U003972 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Розробка техології осадження плівок нанокристалічного карбіду кремнію для виробництва високостабільних сенсорів температури на їх основі

Назва етапу роботи

Керівник роботи

Лопін Олександр Володимирович,

Дата реєстрації

24-02-2011

Організація виконавець

Інститут монокристалів НАН України

Опис

Вивчені теплофізичні умови на пілкладці в процесі вирощування плівки SiC при прямому осадженні іонів. Модернізована і оптимізована конструкція плазмового джерела іонів для прямого осадження іонів. Встановлено, що плівки характеризуються нелінійними ВАХ,, електричне поле пробою ~10 ^5 В/см, температурна залежність електроопору апроксімується функцією R=Ro exp(-T/To)

Опис продукції

Вивчені теплофізичні умови зростання плівок SiC на різних підкладках в процесі прямого осадження іонів. Модернізована і оптимізована ефективна конструкція плазмового джерела іонів для прямого осадження іонів, який забезпечує надійну і відтворену роботу установки протягом 30 хв. Отримані плівки високоомні нанокристалічного карбіду кремнію на підкладках з кремнію та сапфіру

Автори роботи

Козловський Анатолій Анатолійович
Семенов Олександр Володимирович