Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U004837, 0110U003972 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка техології осадження плівок нанокристалічного карбіду кремнію для виробництва високостабільних сенсорів температури на їх основі Назва етапу роботи Керівник роботи Лопін Олександр Володимирович, Дата реєстрації 24-02-2011 Організація виконавець Інститут монокристалів НАН України Опис етапу Вивчені теплофізичні умови на пілкладці в процесі вирощування плівки SiC при прямому осадженні іонів. Модернізована і оптимізована конструкція плазмового джерела іонів для прямого осадження іонів. Встановлено, що плівки характеризуються нелінійними ВАХ,, електричне поле пробою ~10 ^5 В/см, температурна залежність електроопору апроксімується функцією R=Ro exp(-T/To) Опис продукції Вивчені теплофізичні умови зростання плівок SiC на різних підкладках в процесі прямого осадження іонів. Модернізована і оптимізована ефективна конструкція плазмового джерела іонів для прямого осадження іонів, який забезпечує надійну і відтворену роботу установки протягом 30 хв. Отримані плівки високоомні нанокристалічного карбіду кремнію на підкладках з кремнію та сапфіру Автори роботи Козловський Анатолій Анатолійович Семенов Олександр Володимирович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити