Search academic texts

Information × Registration Number 0211U006214, 0106U005598 , R & D reports Title Formation of radiation defects in the preirradiated semiconductors popup.stage_title Head Litovchenko Piotr G., Registration Date 01-03-2011 Organization Scientific Center "Institute for Nuclear Research" of National Academy of Sciences of Ukraine popup.description2 Determined that the preliminary irradiation of silicon with fast neutrons reactor followed by annealing for one hour at a temperature 850oC leads to the formation of dislocation loops, which serve as centers for annihilation of primary radiation defects, which significantly increases the radiation hardness of silicon and devices based on it. Product Description popup.authors Барабаш Людмила Іванівна Бердниченко Світлана Василівна Варенцов Михайло Дмитрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Гайдар Галина Петрівна Гроза Алла Аркадіївна Долголенко Олександр Петрович Дубовий Володимир Костянтиновия Кібкало Тетяна Іванівна Карпенко Андрій Якович Кочкін Василій Іванович Ластовецький Володимир Францевич Макуха Олександр Миколайович Марченко Лариса Сергіївна Пінковська Мирослава Богданівна Полівцев Леонід Анлрійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Шматко Галина Григорівна popup.nrat_date 2020-04-02 Close