Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U006214, 0106U005598 , Науково-дослідна робота Назва роботи Формування радіаційних дефектів у попередньо опромінених напівпровідниках Назва етапу роботи Керівник роботи Литовченко Петро Григорович, Дата реєстрації 01-03-2011 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Визначено, що попереднє опромінення кремнію швидкими нейтронами реактора з наступним відпалом протягом однієї години при температурі 850оС приводить до утворення дислокаційних петель, які слугують центрами анігіляції для первинних радіаційних дефектів, що значно підвищує радіаційну стійкість кремнію і приладів на його основі. Опис продукції Визначений критерій радіаційної стійкості напівпровідників через швидкість видалення носіїв заряду кластерами і точковими дефектами. Показано, що атоми германію, кисню та дислокаційні петлі в кремнії являються центрами анігіляції вакансій і міжвузлових атомів, що значно підвищує радіаційну стійкість кремнію і приладів на його основі. Автори роботи Барабаш Людмила Іванівна Бердниченко Світлана Василівна Варенцов Михайло Дмитрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Гайдар Галина Петрівна Гроза Алла Аркадіївна Долголенко Олександр Петрович Дубовий Володимир Костянтиновия Кібкало Тетяна Іванівна Карпенко Андрій Якович Кочкін Василій Іванович Ластовецький Володимир Францевич Макуха Олександр Миколайович Марченко Лариса Сергіївна Пінковська Мирослава Богданівна Полівцев Леонід Анлрійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Шматко Галина Григорівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити