Registration Number
0216U000962,
0113U000312
, R & D reports
Title
Transparent electroconductive films based on doped ZnO with higher radiation resistance for photovoltaic devices
popup.stage_title
Head
Lashkarev Geogiy Vadimovich, Доктор фізико-математичних наук
Registration Date
21-03-2016
Organization
I.N.Frantsevich Institute for Problems of Materials Science of NAS of Ukraine
popup.description2
The work presents results of growth aluminum doped zinc oxide films depending on technological parameters. The technological conditions for the growth of transparent conductive films ZnO:Al with electrical resistivity of 6·10-4 Ohm·cm and transparency over 85 % were determined. The conditions of formation of Zn1-xCdxO and ZnO1-xSx solid solutions, modeling their band spectrum as well as engineering of quantum wells ZnO/Zn1-хCdхO/ZnO were studied. The effect of high energy heavy ions and electrons impact on the structure, optical and electrical properties of ZnO films was studied.
Product Description
popup.authors
Євтушенко Арсеній Іванович
Асоцький Валерій Володимирович
Бугайова Марина Едуардівна
Демидюк Павло Вікторович
Дмитрiєв Олександр Ілліч
Дранчук Микола Володимирович
Карпина Віталій Анатолійович
Миронюк Денис Валерійович
Овсяннікова Любовь Іванівна
Османов Темраз Шамсутдінович
Петросян Лариса Ігорівна
Позняк Іван Іванович
Попович Василь Іванович
Радченко Михайло Васильович
Федорченко Дмиро Альфредович
Штеплюк Іван Іванович
popup.nrat_date
2020-04-02
