Search academic texts

Information × Registration Number 0217U000890, 0114U001299 , R & D reports Title Features of electronic structure and physicochemical properties of nanoscale and crystalline nitride, silicide, oxide, chalcogenide and halide phases - advanced materials of nonlinear optics and microelectronics popup.stage_title Head Khyzhun Oleg, Registration Date 17-03-2017 Organization Frantzevich Insitute for Materials Science Problems of the Ukranian National Academy of Sciences popup.description2 The electronic structure and optical properties of a number of nitride, oxide, silicide, chalcogenide and halide phases have been studied by means of experimental and theoretical methods. The "first-principles" band DFT-calculations indicate that TlPb2X5 and Tl3PbX5 (X = Cl, Br, I) compounds are indirect-gap semiconductors. In these mateials valence Xp -states made main contribution to the valence band (preferably in its upper and central parts) , while the bottom and the lower part of the valence band formed mainly by contributions of Pb6s- Tl6s-states. Widening of the C1 s-spectra towards higher binding energy and shift of the low-energy contours of Si2p O1s-and-lines towards lower energies is a consequence of the transfer of Cp- valence electrons to silicon and oxygen atoms. Product Description popup.authors Ільків Богдан Ігорович Ільків Володимир Ярославович Бондаренко Тетяна Миколаївна Вербицька Тетяна Володимирівна Гармаш Олександр Юрійович Денисюк Наталія Михайлівна Драненко Олексій Сергійович Зауличний Ярослав Васильович Копилова Катерина Ігорівна Кошелев Михайло Васильович Лисенко Надія Володимирівна Моріні Ніна Іванівна Очеретова Віра Андріївна Петровська Світлана Степанівна Синельниченко Олексій Корнійович Стецун Аполінарій Іванович Фоя Олександр Олександрович Хижун Олег Юліанович popup.nrat_date 2020-04-02 Close