Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0217U000890, 0114U001299 , Науково-дослідна робота Назва роботи Особливості електронної будови і фізико-хімічних властивостей нанорозмірних та кристалічних нітридних, силіцидних, оксидних, халькогенідних і галогенідних фаз - перспективних матеріалів нелінійної оптики та мікроелектроніки. Назва етапу роботи Керівник роботи Хижун Олег Юліанович, Дата реєстрації 17-03-2017 Організація виконавець Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України Опис етапу Експериментальними і теоретичними методами досліджена електронна структура і оптичні властивості низки нітридних, оксидних, силіцидних, халькогенідних і галогенідних фаз. Виконані в роботі "першопринципні" зонні DFT-розрахунки вказують на те, що TlPb2X5 i Tl3PbX5 (X = Cl, Br, I) сполуки - непрямозонні напівпровідники, основний внесок у валентну зону котрих (переважно у її верхню та центральну частини) здійснюють валентні Хр-стани, в той час як дно та нижня частина валентної зони формуються переважно за рахунок внесків Pb6s- і Tl6s-станів. Розширення С1s-спектрів в бік більших енергій зв'язку та зміщення низькоенергетичних контурів Si2p-та О1s-ліній в бік менших енергій є наслідком перенесення Ср-валентних електронів до атомів кремнію та кисню. Опис продукції Розробка технології синтезу нових матеріалів вимагає розуміння природи і механізмів отримання заданих властивостей. Цілий спектр унікальних властивостей отримано завдяки створенню нанорозмірних матеріалів. Матеріали з цими властивостями широко використовуються в різноманітних науково-технічних галузях. Так, найбільш поширене застосування вольфраматів із загальною формулою MWO4 (М = Mn, Cd, Zn) - високочутливі детектори, сенсори вологості, мультифероїки, матеріали для лазерів, оптоелектронні пристрої, тощо. Нітриди кремнію є дуже перспективними k-діелектриками. WO3 є незамінними електрохромними матеріалами. Галогеніди складу KxRb1-xPb2Br5 (x = 0, 0.5 та 1.0) та TlPb2X5 i Tl3PbX5 (X = Cl, Br) - перспективні матеріали для лазерної генерації. Автори роботи Ільків Богдан Ігорович Ільків Володимир Ярославович Бондаренко Тетяна Миколаївна Вербицька Тетяна Володимирівна Гармаш Олександр Юрійович Денисюк Наталія Михайлівна Драненко Олексій Сергійович Зауличний Ярослав Васильович Копилова Катерина Ігорівна Кошелев Михайло Васильович Лисенко Надія Володимирівна Моріні Ніна Іванівна Очеретова Віра Андріївна Петровська Світлана Степанівна Синельниченко Олексій Корнійович Стецун Аполінарій Іванович Фоя Олександр Олександрович Хижун Олег Юліанович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Хижун Олег Юліанович. Особливості електронної будови і фізико-хімічних властивостей нанорозмірних та кристалічних нітридних, силіцидних, оксидних, халькогенідних і галогенідних фаз - перспективних матеріалів нелінійної оптики та мікроелектроніки.. (Етап: ). Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України. № 0217U000890
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18