Search academic texts

Information × Registration Number 0220U000511, 0119U003076 , R & D reports Title Development of electrical measurement technique parameters and test transistors FinFET with resistive shutter (hereinafter referred to as OBs) to determine characteristics and heating in the process their operation current-voltage. popup.stage_title Head Nazarov Oleksiy Mykolayovych, Доктор фізико-математичних наук Registration Date 24-02-2020 Organization Institute of Semiconductor Physics popup.description2 Метою роботи була розробка та впровадження методики для контролю електричних параметрів FINFET транзисторів та для вимірювання температури транзисторів в процесі роботи. Для цього використовувались транзистори з декількома контактами до затвору, що давало змогу вимірювати опір затвору, який залежить від температури. Були досліджені вольт-амперні характеристики, струми втрат затвору та залежності опору затвору від температури в діапазоні від 16 до 100 С для 80 транзисторів. На основі результатів були відібрані 10 приладів, на яких детально проаналізовані залежності температури приладів від потужності, що розсіюється в каналі транзистору. Було показано, що температура приладів залежить від потужності приблизно лінійно та не показує ознак насичення. Також абсолютна величина нагріву залежить від конструкції приладу. Product Description popup.authors Гоменюк Юрій Вікторович Гоменюк Юрій Юрьєвич Руденко Тамара Охримівна Степанов Володимир Григорович popup.nrat_date 2020-07-03 Close