Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U000511, 0119U003076 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка методики вимірювання електричних параметрів та випробування транзисторів FinFET з резистивним затвором (далі ОВ - об'єкти випробувань) для визначення їх вольт-амперних характеристик та нагрівання в процесі експлуатації. Назва етапу роботи Керівник роботи Назаров Олексій Миколайович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 24-02-2020 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу Метою роботи була розробка та впровадження методики для контролю електричних параметрів FINFET транзисторів та для вимірювання температури транзисторів в процесі роботи. Для цього використовувались транзистори з декількома контактами до затвору, що давало змогу вимірювати опір затвору, який залежить від температури. Були досліджені вольт-амперні характеристики, струми втрат затвору та залежності опору затвору від температури в діапазоні від 16 до 100 С для 80 транзисторів. На основі результатів були відібрані 10 приладів, на яких детально проаналізовані залежності температури приладів від потужності, що розсіюється в каналі транзистору. Було показано, що температура приладів залежить від потужності приблизно лінійно та не показує ознак насичення. Також абсолютна величина нагріву залежить від конструкції приладу. Опис продукції Розроблено методику визначення температури нанорозмірних FINFET транзисторів в процесі роботи. Проаналізовано залежності температури від конструкції приладів (кількість фінів, довжина затвору). Автори роботи Гоменюк Юрій Вікторович Гоменюк Юрій Юрьєвич Руденко Тамара Охримівна Степанов Володимир Григорович Додано в НРАТ 2020-07-03 Закрити