1 documents found
Information × Registration Number 0303U007364, 0103U006192 , R & D reports Title Development of technology of growth of silicon carbide single crystals by a method Leli popup.stage_title Розробка технології вирощування монокристалів напівпровідникового карбіду кремнію методом Лелі Head Kiselov V S, Registration Date 30-10-2003 Organization Special Techologial Department popup.description2 The technology of cultivation single crystals of carbide of silicon by a method Leli is developed. For the first time on Ukraine the flap-type chips 6H-SiC doped by nitrogen are obtained5635 Product Description popup.authors popup.nrat_date 2020-04-02 Close
R & D report
Development of technology of growth of silicon carbide single crystals by a method Leli
Head: Kiselov V S. Development of technology of growth of silicon carbide single crystals by a method Leli. (popup.stage: Розробка технології вирощування монокристалів напівпровідникового карбіду кремнію методом Лелі). Special Techologial Department. № 0303U007364
1 documents found

Updated: 2026-03-25


Роздрукувати цю сторінку