Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0303U007364, 0103U006192 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології вирощування монокристалів напівпровідникового карбіду кремнію методом Лелі Назва етапу роботи Розробка технології вирощування монокристалів напівпровідникового карбіду кремнію методом Лелі Керівник роботи Кисельов В. С., Дата реєстрації 30-10-2003 Організація виконавець СКТБ з ДВ Інституту фізики напівпровідників Опис етапу Розроблена технологія вирощування монокристалів карбіду кремнію методом Лелі. Вперше на Україні одержані кристали 6Н-SiC, леговані азотом. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Розробка технології вирощування монокристалів напівпровідникового карбіду кремнію методом Лелі
Керівник: Кисельов В. С.. Розробка технології вирощування монокристалів напівпровідникового карбіду кремнію методом Лелі. (Етап: Розробка технології вирощування монокристалів напівпровідникового карбіду кремнію методом Лелі). СКТБ з ДВ Інституту фізики напівпровідників. № 0303U007364
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18


Роздрукувати цю сторінку