Search academic texts

Information × Registration Number 0309U000042, 0106U001622 , R & D reports Title The electrical tuning of Si/SiGe quantum well generation and absorption THz spectra. popup.stage_title Відпрацьовування технології нанесення омічних контактів на Si/Gex Sil-x гетероструктури для проведення вимірів у повздовжньому електричному полі. Виміри ВАХ ?-легованих квантових ям. Теоретичні розрахунки енергетичних профілів ?-легованих квантових ям у поперечних електричних полях в залежності від положення ?-шару у квантовій ямі Head Tulupenko Viktor N., Registration Date 14-01-2009 Organization Donbass State Engineering Academy popup.description2 Research objects are Boron delta-doped quantum wells. Objective is to study influence of the position of delta-doping within well on the electrooptical properties of such structures. Obtained current-voltage characteristics show qualitative difference for the center-doped and edge-doped structures: for the same voltages current for the first ones by 2-3 orders of magnitude less than for the second ones Product Description popup.authors popup.nrat_date 2020-04-02 Close