Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0309U000042, 0106U001622 , Науково-дослідна робота Назва роботи Електрична перебудова спектру генерації і поглинання ТГЦ випромінювання Si/SiGe квантовими ямами. Назва етапу роботи Відпрацьовування технології нанесення омічних контактів на Si/Gex Sil-x гетероструктури для проведення вимірів у повздовжньому електричному полі. Виміри ВАХ ?-легованих квантових ям. Теоретичні розрахунки енергетичних профілів ?-легованих квантових ям у поперечних електричних полях в залежності від положення ?-шару у квантовій ямі Керівник роботи Тулупенко Віктор Миколайович, Дата реєстрації 14-01-2009 Організація виконавець Донбаська державна машинобудівна академія Опис етапу Об’єкт дослідження – дельта леговані бором Si/SiGe квантові ями. Мета – дослідити вплив місця дельта легування у межах квантової ями на електрооптичні властивості таких структур. Отримані вольт-амперні залежності показують якісну різницю для структур, легованих у центр і у край –струм для перших на 2-3 порядки менший ніж для других при однаковій напрузі. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Електрична перебудова спектру генерації і поглинання ТГЦ випромінювання Si/SiGe квантовими ямами.
Керівник: Тулупенко Віктор Миколайович. Електрична перебудова спектру генерації і поглинання ТГЦ випромінювання Si/SiGe квантовими ямами.. (Етап: Відпрацьовування технології нанесення омічних контактів на Si/Gex Sil-x гетероструктури для проведення вимірів у повздовжньому електричному полі. Виміри ВАХ ?-легованих квантових ям. Теоретичні розрахунки енергетичних профілів ?-легованих квантових ям у поперечних електричних полях в залежності від положення ?-шару у квантовій ямі). Донбаська державна машинобудівна академія. № 0309U000042
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20


Роздрукувати цю сторінку