1 documents found
Information × Registration Number 0310U008334, 0109U006366 , R & D reports Title Novel Approaches for Probing Ferroelectric Domain Wall Structure and Local Dynamics on the Nanoscale popup.stage_title Теоретичне дослідження впливу власної ширини сегнетоелектричної доменної стінки, її форми і орієнтації на величину порогової електричної напруги, прикладеної до зонду п'єзоелектричного силового мікроскопу (ПСМ) для руху стінки. Порівняння розрахунків з експериментальними результатами ПСМ. Теоретичне дослідження впливу порушення симетрії поблизу поверхонь або інтерфейсів, дефектів, неоднорідних механічних напружень та розмірних ефектів на структуру та динаміку доменної стінки Head Svechnikov Sergei Vasil'evich, Registration Date 05-01-2011 Organization Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukrain popup.description2 During the second stage of the project theoretical study of probing the nanoscale polarization switching dynamics in the vicinity of ferroelectric domain wall and far from it has been performed. The methods of domains sizes determination by deconvolution of experimental data were developed. Theoretical study of surface and interface symmetry breaking, collective and single surface defects, inhomogeneous elastic strain and size effect influence on the domain wall structure and properties has been performed. Polarization distribution within ferroelectric domain wall for different systems: wall-surface junction, thin ferroelectric films, defects vicinity was calulated. Stability conditions of the corresponding domain wall structure was calulated. Product Description popup.authors Єлісєєв Євген Анатолійович Морозовська Ганна Миколаївна Свєчніков Георгій Сергійович Свєчніков Сергій Васильович popup.nrat_date 2020-04-02 Close
R & D report
Head: Svechnikov Sergei Vasil'evich. Novel Approaches for Probing Ferroelectric Domain Wall Structure and Local Dynamics on the Nanoscale. (popup.stage: Теоретичне дослідження впливу власної ширини сегнетоелектричної доменної стінки, її форми і орієнтації на величину порогової електричної напруги, прикладеної до зонду п'єзоелектричного силового мікроскопу (ПСМ) для руху стінки. Порівняння розрахунків з експериментальними результатами ПСМ. Теоретичне дослідження впливу порушення симетрії поблизу поверхонь або інтерфейсів, дефектів, неоднорідних механічних напружень та розмірних ефектів на структуру та динаміку доменної стінки). Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukrain. № 0310U008334
1 documents found

Updated: 2026-03-22