Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0310U008334, 0109U006366 , Науково-дослідна робота Назва роботи Нові підходи до дослідження структури і локальної динаміки доменної стінки в наномасштабі Назва етапу роботи Теоретичне дослідження впливу власної ширини сегнетоелектричної доменної стінки, її форми і орієнтації на величину порогової електричної напруги, прикладеної до зонду п'єзоелектричного силового мікроскопу (ПСМ) для руху стінки. Порівняння розрахунків з експериментальними результатами ПСМ. Теоретичне дослідження впливу порушення симетрії поблизу поверхонь або інтерфейсів, дефектів, неоднорідних механічних напружень та розмірних ефектів на структуру та динаміку доменної стінки Керівник роботи Свєчніков Сергій Васильович, Дата реєстрації 05-01-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу В процесі виконання другого етапу проекту одержані нові фундаментальні результати: 1. Встановлено вплив зарядів екранування та ефектів запізнення на рух 180-градусних доменних стінок у сегнетоелектриках. Виявлено нелінійну динаміку стінок через взаємодію поляризації з екрануючим зарядом. Одержано аналітичні вирази для залежності швидкості доменних стінок від величини прикладеного електричного поля з урахуванням ефектів запізнення деполяризуючих полів. Знайдені термодинамічні умови зародження нанодомена, розраховані величина енергії активації і критичні розміри зародка, а також рівноважні розміри стійких доменів для різних умов експерименту. 2. Проведений теоретичний аналіз розподілу поляризації всередині доменної стінки для різних систем (контакт стінка-поверхня, тонкі сегнетоелектричні плівки, окіл дефектів) в результаті встановлено вплив поверхонь, інтерфейсів, дефектів, неоднорідних механічних напружень та розмірних ефектів на структуру та локальну динаміку доменної стінки, визначені умови стабільності відповідних доменних структур. 3. Одержані аналітичні вирази для залежності порогової напруги зонда від положення, орієнтації та товщини доменної стінки, на основі яких розроблені методи кількісного аналізу експериментальних даних ПСМ (зокрема петель гістерезису локального пьєзовідгука) та визначення розмірів нанодоменів за допомогою деконволюції експериментальних даних. 4. Одержані теоретичні результати застосовані для кількісного аналізу та деконволюції експериментальних даних, отриманих методами скануючої зондової п'єзоелектричної силової мікроскопії, що відкриває можливості оптимізації умов експерименту для отримання та дослідження нанодоменних структур з необхідними параметрами та має практичне значення для систем сегнетоелектричної пам'яті. Опис продукції В процесі виконання проекту одержані нові фундаментальні результати: 1. Встановлено вплив зарядів екранування та ефектів запізнення на рух 180-градусних доменних стінок у сегнетоелектриках. Виявлено нелінійну динаміку стінок через взаємодію поляризації з екрануючим зарядом. Одержано аналітичні вирази для залежності швидкості доменних стінок від величини прикладеного електричного поля з урахуванням ефектів запізнення деполяризуючих полів. Знайдені термодинамічні умови зародження нанодомена, розраховані величина енергії активації і критичні розміри зародка, а також рівноважні розміри стійких доменів для різних умов експерименту. 2. Проведений теоретичний аналіз розподілу поляризації всередині доменної стінки для різних систем (контакт стінка-поверхня, тонкі сегнетоелектричні плівки, окіл дефектів) в результаті встановлено вплив поверхонь, інтерфейсів, дефектів, неоднорідних механічних напружень та розмірних ефектів на структуру та локальну динаміку доменної стінки, визначені умови стабільності відповідних Автори роботи Єлісєєв Євген Анатолійович Морозовська Ганна Миколаївна Свєчніков Георгій Сергійович Свєчніков Сергій Васильович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Свєчніков Сергій Васильович. Нові підходи до дослідження структури і локальної динаміки доменної стінки в наномасштабі. (Етап: Теоретичне дослідження впливу власної ширини сегнетоелектричної доменної стінки, її форми і орієнтації на величину порогової електричної напруги, прикладеної до зонду п'єзоелектричного силового мікроскопу (ПСМ) для руху стінки. Порівняння розрахунків з експериментальними результатами ПСМ. Теоретичне дослідження впливу порушення симетрії поблизу поверхонь або інтерфейсів, дефектів, неоднорідних механічних напружень та розмірних ефектів на структуру та динаміку доменної стінки). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0310U008334
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16