1 documents found
Information × Registration Number 0311U003159, 0110U007028 , R & D reports Title Development of technological processes of ohmic contact with antidiffusion barriers forming and base design of active element chips on GaN epitaxial structures of n+-n-n+ type operating in 90-110 GHz frequency range popup.stage_title Розроблення техпроцесів формування омічних контактних систем з антидифузійними бар'єрами та базової конструкції чіпів активних елементів на основі епітаксійних структур GaN n+-n-n+ типу для діапазону частот 90-110 ГГц Head Berezjuk Feder, Registration Date 14-02-2011 Organization State Scientific-Reseach Institute "Orion" popup.description2 Physical - technological bases and technologies of forming multi-layered contact systems with anti diffusive barriers, and base constructions of active elements with intervalley transfer of charge carrier on the basis of epitaxial structures of GAN of n+-n-n+ type for radiants in frequency range 90-110 GHz have been developed. Product Description popup.authors popup.nrat_date 2020-04-02 Close
R & D report
Development of technological processes of ohmic contact with antidiffusion barriers forming and base design of active element chips on GaN epitaxial structures of n+-n-n+ type operating in 90-110 GHz frequency range
Head: Berezjuk Feder. Development of technological processes of ohmic contact with antidiffusion barriers forming and base design of active element chips on GaN epitaxial structures of n+-n-n+ type operating in 90-110 GHz frequency range. (popup.stage: Розроблення техпроцесів формування омічних контактних систем з антидифузійними бар'єрами та базової конструкції чіпів активних елементів на основі епітаксійних структур GaN n+-n-n+ типу для діапазону частот 90-110 ГГц). State Scientific-Reseach Institute "Orion". № 0311U003159
1 documents found

Updated: 2026-03-28


Роздрукувати цю сторінку