Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0311U003159, 0110U007028 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення техпроцесів формування омічних контактних систем з антидифузійними бар'єрами та базової конструкції чіпів активних елементів на основі епітаксійних структур GaN n+-n-n+ типу для діапазону частот 90-110 ГГц Назва етапу роботи Розроблення техпроцесів формування омічних контактних систем з антидифузійними бар'єрами та базової конструкції чіпів активних елементів на основі епітаксійних структур GaN n+-n-n+ типу для діапазону частот 90-110 ГГц Керівник роботи Березюк Федір Борисович, Дата реєстрації 14-02-2011 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу Розроблені фізико-технологічні основи і технології формування багатошарових контактних систем з наноструктурованими антидифузійними бар'єрами, розроблені базові конструкції активних елементів з міждолинним переносом носіїв заряду на основі епітаксійних структур GaN n+-n-n+ типу для джерел випромінювання в діапазоні частот 90-110 ГГц Опис продукції Для джерел випромінювання в диапазоні частот 90-110 Ггц розроблені техпроцеси формування омічних контактних систем з антидифузійними бар'єрами та базової конструкції чіпів активних елементів на основі епітаксійних структур GaN n+-n-n+ типу. Визначені вимоги параметрів n-шару n+-n-n+ структури. Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити