Search academic texts

Information × Registration Number 0311U012057, 0111U005777 , R & D reports Title Mathematical simulation of active element on the basis of n+-n-n+ structures of GaN for the microwave sources in the 90-110 GHz frequencies range and research of base technological process of it realization. popup.stage_title Математичне моделювання активного елементу на основі n+-n-n+ структур GaN для джерел НВЧ-випромінювання в діапазоні частот 90-110 ГГц та дослідження базових техпроцесів його реалізаці Head Berezjuk F., Registration Date 21-12-2011 Organization State Scientific-Reseach Institute "Orion" popup.description2 Mathematical modelling of active elements with carriers intervalley transfer of charge carriers of n +-n-n + type structures on the basis of GAN with the homogeneous doping of diode active region for microwave source in frequency range 80-110 GHz is carried out. The investigations of the base technical manufacture process of active device chips have shown the opportunity of contacts formation up to n +-regions GAN with resistivity ~105 Ohm. Product Description popup.authors Березюк Ф.Б. Гончарук Н.М. М.І. Рижков М.С. Болтовець О.В. Зоренко popup.nrat_date 2020-04-02 Close