Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0311U012057, 0111U005777 , Науково-дослідна робота Назва роботи Математичне моделювання активного елементу на основі n+-n-n+ структур GaN для джерел НВЧ-випромінювання в діапазоні частот 90-110 ГГц та дослідження базових техпроцесів його реалізаці Назва етапу роботи Математичне моделювання активного елементу на основі n+-n-n+ структур GaN для джерел НВЧ-випромінювання в діапазоні частот 90-110 ГГц та дослідження базових техпроцесів його реалізаці Керівник роботи Березюк Ф.Б., Дата реєстрації 21-12-2011 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу Проведено математичне моделювання активних елементів з міждолинним переносом носіїв заряду типу n+-n-n+ структури на основі GaN з однорідним легуванням активної області діоду для джерел НВЧ-випромінювання в діапазоні частот 80-110 ГГц. Проведені дослідження базових техпроцесів виготовлення чіпів активних елементів показали можливість формування контактів до n+-областей GaN з питомим опором ~105Ом. Опис продукції Проведено математичне моделювання активних елементів з міждолинним переносом носіїв заряду типу n+-n-n+ структури на основі GaN з однорідним легуванням активної області діоду для джерел НВЧ-випромінювання в діапазоні частот 80-110 ГГц. Проведені дослідження базових техпроцесів виготовлення чіпів активних елементів показали можливість формування контактів до n+-областей GaN з питомим опором ~105Ом. Автори роботи Березюк Ф.Б. Гончарук Н.М. М.І. Рижков М.С. Болтовець О.В. Зоренко Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити