Search academic texts

Information × Registration Number 0312U003024, 0111U005779 , R & D reports Title Development of technological schemes for manufacturing semiconductor chips of epitaxial structures of InP, with buffer nano structured layers and contact systems with diffusion nano structured barrier layers, intended for 90-118 GHz operating range. popup.stage_title Розроблення технологічних схем виготовлення напівпровідникових чіпів з епітаксійних структур ІnР з буферними наноструктурованими шарами та контактних систем з діфузійними наноструктурованими бар"єрними шарами, призначених для робочого діапазону 90-118ГГц. Head Ivanof V., Registration Date 18-01-2012 Organization State Scientific-Reseach Institute "Orion" popup.description2 Work out technological schemes and manufacturing semiconductor chips of epitaxial structures of InP with buffer nano structured layers and contact systems with diffusion nano structured barrier layers, intended for 90-118 GHz operating range. Product Description popup.authors Іванов В.М. Давискиба Н.О. Ковтонюк В.М. Ковтун С.І. Раєвська Н.С. popup.nrat_date 2020-04-02 Close