Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0312U003024, 0111U005779 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технологічних схем виготовлення напівпровідникових чіпів з епітаксійних структур ІnР, з буферними наноструктурованими шарами та контактних систем з діфузійними наноструктурованими бар"єрними шарами, призначених для робочого діапазону 90-118ГГц. Назва етапу роботи Розроблення технологічних схем виготовлення напівпровідникових чіпів з епітаксійних структур ІnР з буферними наноструктурованими шарами та контактних систем з діфузійними наноструктурованими бар"єрними шарами, призначених для робочого діапазону 90-118ГГц. Керівник роботи Іванов В.М., Дата реєстрації 18-01-2012 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу Відпрацювання технологічних процесів та виготовлення напівпровідникових чіпів з епітаксійних структур ІnР та контактних систем з діфузійними наноструктурованими бар"єрними шарами, призначених для роботи в діапазоні 90-118 ГГц. Опис продукції При виконанні НДР розроблені технологічні схеми виготовлення напівпровідникових чіпів з епітаксійних структур ІnР з буферними наноструктурованими шарами та контактних систем з діфузійними наноструктурованими бар"єрними шарами, призначених для робочого діапазону 90-118ГГц. Автори роботи Іванов В.М. Давискиба Н.О. Ковтонюк В.М. Ковтун С.І. Раєвська Н.С. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Розроблення технологічних схем виготовлення напівпровідникових чіпів з епітаксійних структур ІnР, з буферними наноструктурованими шарами та контактних систем з діфузійними наноструктурованими бар"єрними шарами, призначених для робочого діапазону 90-118ГГц.
Керівник: Іванов В.М.. Розроблення технологічних схем виготовлення напівпровідникових чіпів з епітаксійних структур ІnР, з буферними наноструктурованими шарами та контактних систем з діфузійними наноструктурованими бар"єрними шарами, призначених для робочого діапазону 90-118ГГц.. (Етап: Розроблення технологічних схем виготовлення напівпровідникових чіпів з епітаксійних структур ІnР з буферними наноструктурованими шарами та контактних систем з діфузійними наноструктурованими бар"єрними шарами, призначених для робочого діапазону 90-118ГГц.). Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон". № 0312U003024
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-22


Роздрукувати цю сторінку