Search academic texts

Information × Registration Number 0312U003241, 0106U011410 , R & D reports Title Radiation effects in semiconductors with isovalent impurities. popup.stage_title Вивчення вихідних властивостей кремнію з ізовалентними домішками Head Litovchenko Piotr G., Registration Date 06-03-2012 Organization Scientific Center "Institute for Nuclear Research" of National Academy of Sciences of Ukraine popup.description2 By electrophysics methods it were investigated the samples of n - Si<Ge> (NGe ( 2(1020 см-3) with specific resistance ( ~10 Ohm?cm, grown by the method of Сz, and also standard samples of Сz - Si n -type without the impurity of Ge after the irradiation of different fluences of fast neutrons. Product Description popup.authors Барабаш Людмила Іванівна Бердниченко Світлана Василівна Варенцов Михайло Дмитрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Гайдар Галина Петрівна Гроза Алла Аркадіївна Долголенко Олександр Петрович Дубовий Володимир Костянтинович Кібкало Тетяна Іванівна Карпенко Андрій Якович Кочкін Василій Іванович Ластовецький Володимир Францевич Макуха Олександр Миколайович Марченко Лариса Сергіївна Пінковська Мирослава Богданівна Полівцев Леонід Анлрійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Шматко Галина Григорівна popup.nrat_date 2020-04-02 Close