Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0312U003241, 0106U011410 , Науково-дослідна робота Назва роботи Радіаційні ефекти в напівпровідниках з ізовалентними домішками. Назва етапу роботи Вивчення вихідних властивостей кремнію з ізовалентними домішками Керівник роботи Литовченко Петро Григорович, Дата реєстрації 06-03-2012 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Електрофізичними методами досліджувалися зразки n-Si<Ge> (NGe 2 1020 см-3) з питомим опором ~10 Ом см, вирощені методом Чохральського (Сz), а також стандартні зразки Сz-Si n-типу без домішки Ge після опромінення різними флюенсами швидких нейтронів. Опис продукції Визначені основні електрофізичні параметри монокристалів Si з домішкою Ge в широкому інтервалі концентрацій ізовалентної домішки Ge. Автори роботи Барабаш Людмила Іванівна Бердниченко Світлана Василівна Варенцов Михайло Дмитрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Гайдар Галина Петрівна Гроза Алла Аркадіївна Долголенко Олександр Петрович Дубовий Володимир Костянтинович Кібкало Тетяна Іванівна Карпенко Андрій Якович Кочкін Василій Іванович Ластовецький Володимир Францевич Макуха Олександр Миколайович Марченко Лариса Сергіївна Пінковська Мирослава Богданівна Полівцев Леонід Анлрійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Шматко Галина Григорівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити