Search academic texts

Information × Registration Number 0312U003244, 0106U011410 , R & D reports Title Radiation effects in semiconductors with isovalent impurities. popup.stage_title Дослідження природи радіаційних дефектів в напівпровідниках з різними ізовалентними домішками Head Litovchenko Piotr G., Registration Date 06-03-2012 Organization Scientific Center "Institute for Nuclear Research" of National Academy of Sciences of Ukraine popup.description2 A number of approaches to solving the problem the production of silicon with high radiation hardness based on the introduction of effective strain centers: direct (Germany) and indirect (dislocation loops, oxygen), annihilation of vacancies and interstitial atoms, the introduction of impurities of oxygen, as well as the creation of condensation nuclei polivakansionnyh embryos primary radiation-induced defects. Product Description popup.authors Барабаш Людмила Іванівна Бердниченко Світлана Василівна Варенцов Михайло Дмитрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Гайдар Галина Петрівна Гроза Алла Аркадіївна Долголенко Олександр Петрович Дубовий Володимир Костянтиновия Кібкало Тетяна Іванівна Карпенко Андрій Якович Кочкін Василій Іванович Ластовецький Володимир Францевич Макуха Олександр Миколайович Марченко Лариса Сергіївна Пінковська Мирослава Богданівна Полівцев Леонід Анлрійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Шматко Галина Григорівна popup.nrat_date 2020-04-02 Close