Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0312U003244, 0106U011410 , Науково-дослідна робота Назва роботи Радіаційні ефекти в напівпровідниках з ізовалентними домішками Назва етапу роботи Дослідження природи радіаційних дефектів в напівпровідниках з різними ізовалентними домішками Керівник роботи Литовченко Петро Григорович, Дата реєстрації 06-03-2012 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Розглянуто ряд підходів до вирішення проблеми отримання кремнію з підвищеною радіаційною стійкістю на основі введення ефективних деформаційних центрів прямої (германій) та непрямої (дислокаційні петлі, кисень) анігіляції для вакансій і міжвузлових атомів, введення домішки кисню, а також створення полівакансійних зародків конденсації первинних радіаційних дефектів. Опис продукції Показано підвищення радіаційної стійкості кристалів Si легованих ізовалентною домішкою Ge майже в десять разів. Автори роботи Барабаш Людмила Іванівна Бердниченко Світлана Василівна Варенцов Михайло Дмитрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Гайдар Галина Петрівна Гроза Алла Аркадіївна Долголенко Олександр Петрович Дубовий Володимир Костянтиновия Кібкало Тетяна Іванівна Карпенко Андрій Якович Кочкін Василій Іванович Ластовецький Володимир Францевич Макуха Олександр Миколайович Марченко Лариса Сергіївна Пінковська Мирослава Богданівна Полівцев Леонід Анлрійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Шматко Галина Григорівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити