Search academic texts

Information × Registration Number 0313U005064, 0110U002021 , R & D reports Title Оptoelectronic devices on the basis nanoporous compound A3B5 popup.stage_title Отримання та формування нанорозмірних поруватих структур напівпровідників А3В5 (GaAs, GaP та InP), а також гетероструктур "нітрид третьої групи/монокристал А3В5" (InN/InP) чи поруватий А3В5 (InN/por-InP/InP) з допомогою радикало-променевої епітаксії Head Kidalov Valeryu, Доктор фізико-математичних наук Registration Date 04-02-2013 Organization Berdyansk State Pedagogical University popup.description2 For reduction of stress in heterostructure GaN/GaAs it is offered to use porous substrates GaAs. The epitaxial layer GaN grown on the porous GaAs substrates is found to have no cracks on the surface. By results of a Raman spectroscopy, XRD measurements and analyses of spectra of a photoluminescence the stress GaN-films obtained on single-crystal (1GPa) and porous GaAs substrates (0,4 GPa) are determined. Product Description popup.authors Кідалов Валерій Віталійович Кирилаш Олександр Іванович popup.nrat_date 2020-04-02 Close