Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0313U005064, 0110U002021 , Науково-дослідна робота Назва роботи Оптоелектронні прилади на основі нанопоруватих сполук АІІІВV Назва етапу роботи Отримання та формування нанорозмірних поруватих структур напівпровідників А3В5 (GaAs, GaP та InP), а також гетероструктур "нітрид третьої групи/монокристал А3В5" (InN/InP) чи поруватий А3В5 (InN/por-InP/InP) з допомогою радикало-променевої епітаксії Керівник роботи Кідалов Валерій Віталійович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 04-02-2013 Організація виконавець Бердянський державний педагогічний університет Опис етапу Для зменшення механічних напружень у гетероструктурі GaN/GaAs використовуються поруваті підкладки GaAs. За результатами комбінаційного розсіювання світла, дифрактометричних досліджень та спектрів фотолюмінесценції визначено напруження в плівках GaN, які отримані на монокристалічних та поруватих підкладках GaAs Опис продукції Поруваті шари GaP можливо використовувати для світлодіодів Автори роботи Кідалов Валерій Віталійович Кирилаш Олександр Іванович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити