Search academic texts

Information × Registration Number 0314U004127, 0108U004834 , R & D reports Title Development and creation of technologies for production of low-temperature silicon compounds for use in microelectronic sensors. popup.stage_title Визначення технологічних підходів та розгляд технічних варіантів створення нанопористих та наноструктурованих матеріалів. Розробка основних технологічних рішень і методик одержання матеріалів і структур. Head Mitin Vadym Fedorovych, Registration Date 19-05-2014 Organization Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine popup.description2 The main technological methods for making of nanoporous and nanostructural materials and structures based on germanium films on gallium arsenide were defined. The prototypes of nanoporous and nanostructural germanium films on gallium arsenide were produced. Product Description popup.authors І.Ю.Неміш В.В.Холевчук Л.А.Матвеєва О.С.Кулик О.Ю.Колядіна П.Л.Нелюба popup.nrat_date 2020-04-02 Close