Search academic texts

Information × Registration Number 0400U001452, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 26-04-2000 popup.evolution o Title Degradation and relaxation processes in GaP light diodes stimulated by ultrasonic and radiation Author Gontaruk Oleksandr Mykolajovych, popup.head Тартачник Володимир Петрович popup.opponent Романюк Борис Миколайович popup.opponent Богданюк Микола Сергійович Description Дисертацію присвячено дослідженню p-n- структур на основі фосфіду галію. У роботі досліджено деградаційні та релаксаційні процеси у GaP, що відбуваються при УЗ обробці та g- опроміненні. У кристалі, обробленому ультразвуком при температурі 77 К, виявлено низькочастотні коливання яскравості свічення, котрі відбуваються в такт із коливаннями струму. Поява таких осциляцій може бути зумовлена формуванням рухливих дислокаційних пакетів, які беруть участь у формуванні дефектів темних ліній та дефектів темних плям. Аналіз сукупності деградаційно-релаксаційних змін опромінених зразків GaP показує, що основною причиною їхнього виникнення є стимульований високим рівнем іонізації рух дислокацій та утворення дислокаційних сіток. Показано, що ультразвук може бути засобом для покращення характеристик GaP світлодіодів з високою концентрацією дефектів, зокрема опромінених швидкими частинками. Registration Date 2000-04-26 popup.nrat_date 2020-04-04 Close