Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0400U001452, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 26-04-2000 Статус Запланована Назва роботи Деградаційні і релаксаційні процеси у світлодіодах GaP, зумовлені ультразвуком та радіацією Здобувач Гонтарук Олександр Миколайович, Керівник Тартачник Володимир Петрович Опонент Романюк Борис Миколайович Опонент Богданюк Микола Сергійович Опис Дисертацію присвячено дослідженню p-n- структур на основі фосфіду галію. У роботі досліджено деградаційні та релаксаційні процеси у GaP, що відбуваються при УЗ обробці та g- опроміненні. У кристалі, обробленому ультразвуком при температурі 77 К, виявлено низькочастотні коливання яскравості свічення, котрі відбуваються в такт із коливаннями струму. Поява таких осциляцій може бути зумовлена формуванням рухливих дислокаційних пакетів, які беруть участь у формуванні дефектів темних ліній та дефектів темних плям. Аналіз сукупності деградаційно-релаксаційних змін опромінених зразків GaP показує, що основною причиною їхнього виникнення є стимульований високим рівнем іонізації рух дислокацій та утворення дислокаційних сіток. Показано, що ультразвук може бути засобом для покращення характеристик GaP світлодіодів з високою концентрацією дефектів, зокрема опромінених швидкими частинками. Дата реєстрації 2000-04-26 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити