Search academic texts

Information × Registration Number 0400U001850, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 16-06-2000 popup.evolution o Title Ellipsometry of superlattices and disodered surface of both GaAs and Si single crystals Author Mykhajlyk Tetyana Arkadiyivna, popup.head Дмитрук М.Л. popup.opponent Поперенко Л.В. popup.opponent Фекешгазі І.В. popup.opponent Гречко Л.Г. Description Монокристалічний GaAs і Si з різними ступенями розупорядкованості поверхні та надгратки GaAs/GaPxAs1-x. Дослідити їх оптичні та геометричні властивості. Методи: багатокутова та спектральна еліпсометрія, мікроскопія атомних сил, профілометрія, інфрачервона спектроскопія відбивання, рентгенівська дифракція, ковзне відбивання рентгенівських променів. Запропоновано компексний всехвилевий підхід до вивчення розупорядкованості поверхні напівпровід-ників. Обгрунтовано застосування теорії збурень. Пояснено розбіжність параметрів рельєфу, отриманих різними методами.Проаналізовано чотири суттєво відмінних моде- лі надграток, обрано найперспективнішу. Отримано енергетичні зонні параметри системи за моделлю діелектричної функції, проаналізовано їх залежність від товщин шарів та вмісту фосфору. Registration Date 2000-06-16 popup.nrat_date 2020-04-04 Close