Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0400U001850, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 16-06-2000 Статус Запланована Назва роботи Еліпсометрія надграток і розупорядкованих поверхонь монокристалів GaAs і Si Здобувач Михайлик Тетяна Аркадіївна, Керівник Дмитрук М.Л. Опонент Поперенко Л.В. Опонент Фекешгазі І.В. Опонент Гречко Л.Г. Опис Монокристалічний GaAs і Si з різними ступенями розупорядкованості поверхні та надгратки GaAs/GaPxAs1-x. Дослідити їх оптичні та геометричні властивості. Методи: багатокутова та спектральна еліпсометрія, мікроскопія атомних сил, профілометрія, інфрачервона спектроскопія відбивання, рентгенівська дифракція, ковзне відбивання рентгенівських променів. Запропоновано компексний всехвилевий підхід до вивчення розупорядкованості поверхні напівпровід-ників. Обгрунтовано застосування теорії збурень. Пояснено розбіжність параметрів рельєфу, отриманих різними методами.Проаналізовано чотири суттєво відмінних моде- лі надграток, обрано найперспективнішу. Отримано енергетичні зонні параметри системи за моделлю діелектричної функції, проаналізовано їх залежність від товщин шарів та вмісту фосфору. Дата реєстрації 2000-06-16 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити