Search academic texts

Information × Registration Number 0400U002934, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 26-10-2000 popup.evolution o Title Modification of structural characteristics of Si (001) surface in microelectronic technology Author Maksymova Tetyana Ivanivna, popup.head Соловйов Володимир Миколайович popup.opponent Новіков Віталій Володимирович popup.opponent Гохман Олександр Рафаїлович popup.opponent Вікулін Іван Михайлович Description Методом молекулярної динаміки досліджено вплив температури формування поверхні і низькоенергетичної радіаційної дії на структурні характеристики поверхні (001) Si. Одержано нові дані щодо впливу температури формування поверхні на особливості релаксації поверхневих шарів. При високих температурах релаксації виникає квазірозупорядкована поверхнева фаза, що характеризується дефектними ділянками і обірваними зв'язками, які зумовлюють множинні поверхневі реакції, а також особливості формування границі кремній-діелектрик. Показана доцільність використання допорогової радіаційної обробки для стабілізації і відновлення поверхні (001) Si, одержання однорідних по структурі приповерхневих шарів. Виявлені оптимальні умови радіаційного опромінення Registration Date 2000-10-26 popup.nrat_date 2020-04-04 Close