Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0400U002934, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 26-10-2000 Статус Запланована Назва роботи Модифікація структурних характеристик поверхні (001) кремнію в мікроелектронній технології Здобувач Максимова Тетяна Іванівна, Керівник Соловйов Володимир Миколайович Опонент Новіков Віталій Володимирович Опонент Гохман Олександр Рафаїлович Опонент Вікулін Іван Михайлович Опис Методом молекулярної динаміки досліджено вплив температури формування поверхні і низькоенергетичної радіаційної дії на структурні характеристики поверхні (001) Si. Одержано нові дані щодо впливу температури формування поверхні на особливості релаксації поверхневих шарів. При високих температурах релаксації виникає квазірозупорядкована поверхнева фаза, що характеризується дефектними ділянками і обірваними зв'язками, які зумовлюють множинні поверхневі реакції, а також особливості формування границі кремній-діелектрик. Показана доцільність використання допорогової радіаційної обробки для стабілізації і відновлення поверхні (001) Si, одержання однорідних по структурі приповерхневих шарів. Виявлені оптимальні умови радіаційного опромінення Дата реєстрації 2000-10-26 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити