Search academic texts

Information × Registration Number 0401U001245, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 06-04-2001 popup.evolution o Title Influence of growing technology on micromechanical properties of epitaxial structures based on GaAs 5742 Author Syeliverstova Svitlana Rostyslavivna, popup.head Марончук І.Є. popup.opponent Матвеєва Л.О. popup.opponent Шарко О.В. Description Гомо- та гетероструктури на основі GaAs, отримані ГФЕ та РФЕ. Визначення зв'язку між мікромеханічними властивостями епітаксійних структур та умовами їх отримання. Дослідження проводились з використанням методів індентування та склерометрії за допомогою піраміди Віккерса; мікроскопії, ФЛ, ефекту Холлу. Встановлено, що в GaAs, легованому Si, мікротвердість змінюється зі зміною ступеня компенсації. За допомогою розробленого метода дослідження деформованих областей травленням парами йоду, встановлено, що в Ge-GaAs напрямок деформації змінюється при досягненні гетеромежі. Сферою використання є виробництво напівпровідникових приладів Registration Date 2001-04-06 popup.nrat_date 2020-04-04 Close