Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0401U001245, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 06-04-2001 Статус Запланована Назва роботи Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs Здобувач Сєліверстова Світлана Ростиславівна, Керівник Марончук І.Є. Опонент Матвеєва Л.О. Опонент Шарко О.В. Опис Гомо- та гетероструктури на основі GaAs, отримані ГФЕ та РФЕ. Визначення зв'язку між мікромеханічними властивостями епітаксійних структур та умовами їх отримання. Дослідження проводились з використанням методів індентування та склерометрії за допомогою піраміди Віккерса; мікроскопії, ФЛ, ефекту Холлу. Встановлено, що в GaAs, легованому Si, мікротвердість змінюється зі зміною ступеня компенсації. За допомогою розробленого метода дослідження деформованих областей травленням парами йоду, встановлено, що в Ge-GaAs напрямок деформації змінюється при досягненні гетеромежі. Сферою використання є виробництво напівпровідникових приладів Дата реєстрації 2001-04-06 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs
Сєліверстова Світлана Ростиславівна. Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs : к.т.н. : спец.. 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки : дата захисту 2001-04-06; Статус: Захищена; Херсонський державний технічний університет. – , 0401U001245.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20


Роздрукувати цю сторінку