Search academic texts

Information × Registration Number 0401U002799, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 19-10-2001 popup.evolution o Title Morphological and Structural Changes in III-V and II-VI Semiconductors and Related Systems Caused by Post-growth Treatments Author Lytvyn Oksana Stepanivna, popup.head Прокопенко І.В popup.opponent Фекешгазі І.В. popup.opponent Фодчук І.М. Description Об'єкти дослідження: напівпровідникові сполуки GaAs i ZnS та системи плівка-підкладинка на їх основі. Мета роботи: виявлення зв'язку морфології поверхні полікристалічних плівок, що є компонентами напівпровідникових приладних систем, з внутрішньою кристалічною структурою та процесами на межі поділу фаз, спричиненими післяростовими обробками. Основні методи досліджень: атомно-силова мікроскопія, рентгеноструктурний аналіз. Основні результати: вивчено зв'язок морфологічних та структурних характеристик полікристалічних плівок ZnS:Cu з умовами їх виготовлення та післяростових обробок. Досліджено залежність структурної досконалості контактних систем на GaAs з антидифузійним шаром ТіВ2 від режиму магнетронного напилення та їх термічну стійкість. Розвинуто і удосконалено методи досліджень. Результати використано при розробці технологій виготовлення твердотільних напівпровідникових структур для мікроелектронних та оптичних пристроїв з метою оптимізації їх параметрів та підвищення ефективності роботи. Registration Date 2001-10-19 popup.nrat_date 2020-04-04 Close