Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0401U002799, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 19-10-2001 Статус Запланована Назва роботи Морфологічні та структурні зміни в напівпровідниках А3В5 і А2В6 та системах на їх основі, стимульовані післяростовими обробками Здобувач Литвин Оксана Степанівна, Керівник Прокопенко І.В Опонент Фекешгазі І.В. Опонент Фодчук І.М. Опис Об'єкти дослідження: напівпровідникові сполуки GaAs i ZnS та системи плівка-підкладинка на їх основі. Мета роботи: виявлення зв'язку морфології поверхні полікристалічних плівок, що є компонентами напівпровідникових приладних систем, з внутрішньою кристалічною структурою та процесами на межі поділу фаз, спричиненими післяростовими обробками. Основні методи досліджень: атомно-силова мікроскопія, рентгеноструктурний аналіз. Основні результати: вивчено зв'язок морфологічних та структурних характеристик полікристалічних плівок ZnS:Cu з умовами їх виготовлення та післяростових обробок. Досліджено залежність структурної досконалості контактних систем на GaAs з антидифузійним шаром ТіВ2 від режиму магнетронного напилення та їх термічну стійкість. Розвинуто і удосконалено методи досліджень. Результати використано при розробці технологій виготовлення твердотільних напівпровідникових структур для мікроелектронних та оптичних пристроїв з метою оптимізації їх параметрів та підвищення ефективності роботи. Дата реєстрації 2001-10-19 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити