Search academic texts

Information × Registration Number 0402U000089, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 12-12-2001 popup.evolution o Title Cd1-XZnXTe semiconductor crystals for X- and gamma-ray detectors. Author Nalyvajko Dmytro Petrovych, popup.head Комар В.К. popup.opponent Рогачова О.І. popup.opponent Семенов О.В. Description Об'єкт дослідження - процес розплавного вирощування напівпровідникових кристалів Cd1-XZnXTe методом Бриджмена під високим тиском інертного газу. Мета дослідження - виявлення характерних дефектів кристалічної структури, їхнього зв'язку з умовами вирощування і характеристиками детекторів гамма-випромінювання на основі цих кристалів. Методи дослідження: електронно-зондовий мікроаналіз, рентгенівська дифракція, хімічне травлення з виявленням дислокацій, інфрачервона спектроскопія пропущення, просвічуюча інфрачервона мікроскопія, низькотемпературна фотолюмінесценція, катодолюмінесценція, вимір електричного опору і вольтамперних характеристик детекторів, гамма-спектрометрія, атомно-емісійна спектрометрія, лазерна мас-спектрометрія, кулонометрія (експрес-аналіз на вміст вуглецю), термо- і фоторелаксаційна діелектрична спектроскопія, адіабатична лазерна калориметрія, рентгенівська фотоелектронна спектроскопія, аналіз спектральної залежності фотопровідності. Теоретичні і практичні результати, новизна: Отриман і нові дані про характерні дефекти кристалів Cd1-XZnXTe. Запропоновано моделі їхнього формування. Установлено вплив даних дефектів на параметри детекторів гамма-випромінювання. Отримані дані дозволили значно підняти вихід кристалічного матеріалу детекторної якості. Ступінь упровадження: запропоновані в роботі удосконалення впроваджені в дослідне виробництво НТК "Інститут монокристалів" НАН України. Сфера використання: фізика напівпровідникових сполук AIIBVI, технологія вирощування кристалів Cd1-XZnXTe для гамма-детекторів, детектування іонізуючих випромінювань, приладобудування. Registration Date 2001-12-12 popup.nrat_date 2020-04-04 Close