Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0402U000089, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 12-12-2001 Статус Запланована Назва роботи Напівпровідникові кристали Cd1-XZnXTe для детекторів рентгенівського та гамма-випромінювання. Здобувач Наливайко Дмитро Петрович, Керівник Комар В.К. Опонент Рогачова О.І. Опонент Семенов О.В. Опис Об'єкт дослідження - процес розплавного вирощування напівпровідникових кристалів Cd1-XZnXTe методом Бриджмена під високим тиском інертного газу. Мета дослідження - виявлення характерних дефектів кристалічної структури, їхнього зв'язку з умовами вирощування і характеристиками детекторів гамма-випромінювання на основі цих кристалів. Методи дослідження: електронно-зондовий мікроаналіз, рентгенівська дифракція, хімічне травлення з виявленням дислокацій, інфрачервона спектроскопія пропущення, просвічуюча інфрачервона мікроскопія, низькотемпературна фотолюмінесценція, катодолюмінесценція, вимір електричного опору і вольтамперних характеристик детекторів, гамма-спектрометрія, атомно-емісійна спектрометрія, лазерна мас-спектрометрія, кулонометрія (експрес-аналіз на вміст вуглецю), термо- і фоторелаксаційна діелектрична спектроскопія, адіабатична лазерна калориметрія, рентгенівська фотоелектронна спектроскопія, аналіз спектральної залежності фотопровідності. Теоретичні і практичні результати, новизна: Отриман і нові дані про характерні дефекти кристалів Cd1-XZnXTe. Запропоновано моделі їхнього формування. Установлено вплив даних дефектів на параметри детекторів гамма-випромінювання. Отримані дані дозволили значно підняти вихід кристалічного матеріалу детекторної якості. Ступінь упровадження: запропоновані в роботі удосконалення впроваджені в дослідне виробництво НТК "Інститут монокристалів" НАН України. Сфера використання: фізика напівпровідникових сполук AIIBVI, технологія вирощування кристалів Cd1-XZnXTe для гамма-детекторів, детектування іонізуючих випромінювань, приладобудування. Дата реєстрації 2001-12-12 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити