Search academic texts

Information × Registration Number 0402U000882, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 15-03-2002 popup.evolution o Title Recombination mechanisms transformation, quantum efficiency enhancement and generation of radiation in Hg1-xCdxTe and InSb caused by uniaxial strain. Author 3, popup.head Shepelskii Georgiy Anatolijovich popup.opponent Берченко Микола Миколайович popup.opponent Федоренко Леонід Леонідович Description Дисертація присвячена дослідженню впливу одновісної пружної деформації на фотоелектричні властивості та рекомбінаційні механізми вузькозонних напівпровідників CdxHg1-xTe та InSb. В одновісно-деформованому безщілинному CdxHg1-xTe з х = 0.10-0.14 в умовах ударної іонізації електричним полем виявленa генерація стимульованого випромінювання в діапазоні 80-100 мкм. Стрибок випромінювання виникає при порогових значеннях пружної деформації та електричного поля і супроводжується стрибком струму. Отримані польові та деформаційні залежності інтенсивності спонтанного випромінювання. Запропонований механізм зазначеного ефекту з урахуванням трансформації одновісним тиском енергетичних зон та домішкових акцепторних рівнів. На основі вимірювань температурних т а деформаційних залежностей фотопровідності та фотоелектромагнітного ефекту в р-CdxHg1-xTe (х = 0.20-0.22) показано, що рекомбінаційні переходи в температурному діапазоні Т < 30-40 К можуть бути інтерпретовані в рамках дворівневої моделі Шоклі-Ріда з ура хуванням виморожування основних носіїв струму - дірок. При цьому визначено, що другий рекомбінаційний центр є акцептором некулонівського типу з енергією іонізації порядку 10-15 меВ. Експериментально доведено, що створення пружно-деформованого стану у вуз ькозонних напівпровідниках дозволяє істотно послабити безвипромінювальну міжзонну рекомбінацію Оже за рахунок трансформації валентної зони і суттєво підвищити квантовий вихід рекомбінаційного випромінювання. Registration Date 2002-03-15 popup.nrat_date 2020-04-04 Close