Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0402U000882, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 15-03-2002 Статус Запланована Назва роботи Трансформація рекомбінаційних механізмів, підвищення квантового виходу та генерація випромінювання в CdxHg1-xTe i InSb під впливом одновісного напруження. Здобувач 3, Керівник Шепельський Георгій Анатолійович Опонент Берченко Микола Миколайович Опонент Федоренко Леонід Леонідович Опис Дисертація присвячена дослідженню впливу одновісної пружної деформації на фотоелектричні властивості та рекомбінаційні механізми вузькозонних напівпровідників CdxHg1-xTe та InSb. В одновісно-деформованому безщілинному CdxHg1-xTe з х = 0.10-0.14 в умовах ударної іонізації електричним полем виявленa генерація стимульованого випромінювання в діапазоні 80-100 мкм. Стрибок випромінювання виникає при порогових значеннях пружної деформації та електричного поля і супроводжується стрибком струму. Отримані польові та деформаційні залежності інтенсивності спонтанного випромінювання. Запропонований механізм зазначеного ефекту з урахуванням трансформації одновісним тиском енергетичних зон та домішкових акцепторних рівнів. На основі вимірювань температурних т а деформаційних залежностей фотопровідності та фотоелектромагнітного ефекту в р-CdxHg1-xTe (х = 0.20-0.22) показано, що рекомбінаційні переходи в температурному діапазоні Т < 30-40 К можуть бути інтерпретовані в рамках дворівневої моделі Шоклі-Ріда з ура хуванням виморожування основних носіїв струму - дірок. При цьому визначено, що другий рекомбінаційний центр є акцептором некулонівського типу з енергією іонізації порядку 10-15 меВ. Експериментально доведено, що створення пружно-деформованого стану у вуз ькозонних напівпровідниках дозволяє істотно послабити безвипромінювальну міжзонну рекомбінацію Оже за рахунок трансформації валентної зони і суттєво підвищити квантовий вихід рекомбінаційного випромінювання. Дата реєстрації 2002-03-15 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити