Search academic texts

Information × Registration Number 0402U002907, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 19-09-2002 popup.evolution o Title Radiation-induced changes of optical characteristics in nanocrystalline and bulk CdS1-xSex semiconductors Author Lopushansky Vasyl Volodymyrovych, popup.head GOMONNAJ Oleksandr Vasyl'ovych popup.opponent АРТАМОНОВ Віктор Васильович popup.opponent СТУДЕНЯК Ігор Петрович Description Об'єкт дослідження: квантово-розмірні ефекти, що проявляються в оптичних спектрах квантових точок CdS1-xSex внаслідок просторового обмеження руху носіїв заряду. Мета дослідження: встановлення основних закономірностей впливу високоенергетичного електронного опромінення на оптичні характеристики напівпровідникових нанокристалів CdS1-xSex, вкраплених у матрицю боросилікатного скла, та порівняння їх із закономірностями утворення і трансформації радіаційних дефектів у об'ємних напівпровідниках CdS1-xSex, та силікатних стеклах. Методи дослідження: спектроскопія комбінаційного розсіювання (КР), фотолюмінесценції, оптичного поглинання. Наукова новизна результатів. Виявлено короткохвильове зміщення краю поглинання та розмиття квантово-розмірних максимумів у спектрах оптичного поглинання вкраплених у скло нанокристалів CdS1-xSex під дією електронного та рентгенівського опромінення. Величина максимального зміщення краю поглинання залежить від типу, енергії та дози опромінюючих частинок. Встановлено основний механізм, відповідальний за спричинені опроміненням зміни в оптичних спектрах нанокристалів CdS1-xSex, вкраплених у боросилікатне скло, яким є радіаційно індукована іонізація нанокристалів за рахунок переносу носіїв заряду між ними та матрицею внаслідок утворення в останній радіаційних центрів забарвлення. Ступінь упровадження: планується. Сфера (галузь) використання: оптичне приладобудування, нанотехнології. Registration Date 2002-09-19 popup.nrat_date 2020-04-04 Close