Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0402U002907, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 19-09-2002 Статус Запланована Назва роботи Радіаційно індуковані зміни оптичних характеристик нанокристалічних та об'ємних напівпровідників CdS1-xSex Здобувач Лопушанський Василь Володимирович, Керівник ГОМОННАЙ Олександр Васильович Опонент АРТАМОНОВ Віктор Васильович Опонент СТУДЕНЯК Ігор Петрович Опис Об'єкт дослідження: квантово-розмірні ефекти, що проявляються в оптичних спектрах квантових точок CdS1-xSex внаслідок просторового обмеження руху носіїв заряду. Мета дослідження: встановлення основних закономірностей впливу високоенергетичного електронного опромінення на оптичні характеристики напівпровідникових нанокристалів CdS1-xSex, вкраплених у матрицю боросилікатного скла, та порівняння їх із закономірностями утворення і трансформації радіаційних дефектів у об'ємних напівпровідниках CdS1-xSex, та силікатних стеклах. Методи дослідження: спектроскопія комбінаційного розсіювання (КР), фотолюмінесценції, оптичного поглинання. Наукова новизна результатів. Виявлено короткохвильове зміщення краю поглинання та розмиття квантово-розмірних максимумів у спектрах оптичного поглинання вкраплених у скло нанокристалів CdS1-xSex під дією електронного та рентгенівського опромінення. Величина максимального зміщення краю поглинання залежить від типу, енергії та дози опромінюючих частинок. Встановлено основний механізм, відповідальний за спричинені опроміненням зміни в оптичних спектрах нанокристалів CdS1-xSex, вкраплених у боросилікатне скло, яким є радіаційно індукована іонізація нанокристалів за рахунок переносу носіїв заряду між ними та матрицею внаслідок утворення в останній радіаційних центрів забарвлення. Ступінь упровадження: планується. Сфера (галузь) використання: оптичне приладобудування, нанотехнології. Дата реєстрації 2002-09-19 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Лопушанський Василь Володимирович. Радіаційно індуковані зміни оптичних характеристик нанокристалічних та об'ємних напівпровідників CdS1-xSex : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 2002-09-19; Статус: Захищена; Інститут електронної фізики Національної академії наук України. – , 0402U002907.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-19